Если человек не знает, куда он плывёт – для него нет благоприятных ветров.
11.03.2011 в 12:06
Пишет Серебряный:Представлена «энергосберегающая» память на основе фазового перехода.
В лаборатории Иллинойсского университета в Урбане и Шампейне был создан перспективный вариант памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, PCRAM).
Энергонезависимая PCRAM имеет оригинальный способ представления информации, которая кодируется уровнем сопротивления. Элементы такой памяти строятся на базе халькогенидного стекла (чаще всего — Ge2Sb2Te5), способного при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким.
Одним из основных недостатков PCRAM считается то, что управление состоянием бита требует весьма высоких токов. Чтобы обойти это ограничение, инженеры заменили в элементах памяти традиционные металлические провода на электроды из углеродных нанотрубок. «Потребление энергии падает вместе с уменьшением объёма элемента, — комментирует участник исследования Фэн Сюн (Feng Xiong). — Наноразмерные контакты подходят здесь как нельзя лучше».

Четыре бита, которые находятся в разных состояниях (иллюстрация Eric Pop).
Продолжение
URL записиВ лаборатории Иллинойсского университета в Урбане и Шампейне был создан перспективный вариант памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, PCRAM).
Энергонезависимая PCRAM имеет оригинальный способ представления информации, которая кодируется уровнем сопротивления. Элементы такой памяти строятся на базе халькогенидного стекла (чаще всего — Ge2Sb2Te5), способного при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким.
Одним из основных недостатков PCRAM считается то, что управление состоянием бита требует весьма высоких токов. Чтобы обойти это ограничение, инженеры заменили в элементах памяти традиционные металлические провода на электроды из углеродных нанотрубок. «Потребление энергии падает вместе с уменьшением объёма элемента, — комментирует участник исследования Фэн Сюн (Feng Xiong). — Наноразмерные контакты подходят здесь как нельзя лучше».

Четыре бита, которые находятся в разных состояниях (иллюстрация Eric Pop).
Продолжение